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Q. HBM DRAM 문의
HBM은 DRAM을 적층한다고 들었습니다. TSV로 관통하여 연결하고, 아마 다른 DDR5에서 사용하는 다른 PERI를 붙이겠지요. 맞나요? 또한, DDR5에서 사용하는 DRAM이나 HBM에서 적층된 DRAM 각각은 전부 같은 공정을 거쳐서 생산되나요? 아니면 셀 배치 설계부터가 다른 DRAM을 만드나요? 이렇게 생각하면 되나요? "셀 영역을 DRAM이라고 부르고, 그 DRAM을 적층한 뒤, PERI(컨트롤 해주는 녀석)을 붙이면 HBM. 즉, DDR5의 DRAM과 HBM의 DRAM은 동일. 다만, PERI나 TSV여부, 적층 여부 등의 차이."??
2026.01.24
답변 1
전문상담HL 디앤아이한라코이사 ∙ 채택률 63%안녕하세요, 성실히 답변 드립니다. 채택 바랍니다 ^^ 맞습니다. 간단히 정리시 HBM DRAM vs DDR5 DRAM : 셀 자체 (메모리 셀, 셀 DRAM 다이)는 기본 공정과 구조가 동일 차이점 : HBM은 다이를 적층하고 TSV로 연결, PERI(컨트롤러 / IO)를 붙임 > DDR5는 단일 다이에 컨트롤러가 붙음 즉 DRAM 셀 설계 자체는 가고, 패키징 / 적층 / 인터페이스 구조가 달라집니다. 정리 셀 = DRAM은 동일 , HBM은 적층 + TAV + PERI , DDR5는 단일 + PERI
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